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描述：TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀廠家，采用第四代抗干擾技術(shù)-全自動(dòng)反干擾源法，能夠在500KV及以下變電站等干擾強(qiáng)烈的場(chǎng)合準(zhǔn)確測(cè)量，*《DLT962-2005高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀通用技術(shù)條件》的相關(guān)要求。本抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀廣泛適用于變壓器、互感器。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-05-27訪問(wèn)量：1187
產(chǎn)品介紹/ PRODUCT PRESENTATIONTE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀廠家，采用第四代抗干擾技術(shù)-全自動(dòng)反干擾源法，能夠在500KV及以下變電站等干擾強(qiáng)烈的場(chǎng)合準(zhǔn)確測(cè)量，*《DLT962-2005高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀通用技術(shù)條件》的相關(guān)要求。本抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀廣泛適用于變壓器、互感器。
產(chǎn)品特性：
(1) 反干擾源：儀器先測(cè)量干擾電流的幅值和相位，然后在內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)幅值相等、相位相反的反干擾信號(hào)來(lái)抵消干擾電流，從而有效消除現(xiàn)場(chǎng)干擾對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的影響。實(shí)踐使用證明，該方法抗干擾效果優(yōu)于“倒相法”、“移相法”和“變頻法”。
(2) 整體屏蔽：采用雙層整體屏蔽機(jī)箱，能有效阻擋外界電磁干擾。采用高壓屏蔽軟電纜，可直接引至試品，測(cè)試安全方便，并有效消除了對(duì)地雜散電容的影響。
(3) 使用方便：可自由選擇輸出高壓，啟動(dòng)后全自動(dòng)升壓測(cè)試。采用中文菜單操作，測(cè)量電容值、介損值等顯示結(jié)果直觀。內(nèi)置的前換紙打印機(jī)能以中文模式打印記錄數(shù)據(jù)，換紙更加方便。
(4) 技術(shù)*：全數(shù)字化，內(nèi)建精密數(shù)學(xué)模型。
(5) 精度高：具有較高的分辨率和精度，測(cè)試結(jié)果重復(fù)性好，配上標(biāo)準(zhǔn)油杯后，可測(cè)量絕緣油的介質(zhì)損耗因素。
(6) 通訊接口：留有“通訊接口”，其中包括RS232計(jì)算機(jī)接口方便地與筆記本電腦連接，進(jìn)行數(shù)據(jù)處理；和“JTAG在線編程接口”，可由筆記本電腦對(duì)儀器進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)在線編程，可對(duì)儀器不拆機(jī)進(jìn)行升級(jí)處理；使用時(shí)，必須配用接線座和軟件，本儀器不提供此配件。
(7) 數(shù)據(jù)記錄：儀器能記錄100組測(cè)試數(shù)據(jù)，以測(cè)試日期、時(shí)間的形式存儲(chǔ)，日后可調(diào)用查看或打印，有利于歷史數(shù)據(jù)的縱向比較和歷史臺(tái)帳的建立。
(8) 攜帶方便：TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀廠家采用一體化結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)合理，體積只有同類產(chǎn)品的1/2～2/3，攜帶十分方便。
技術(shù)參數(shù)：
使用電源 本儀器使用220（1±10%）V，50（1±2%）Hz電源
使用環(huán)境 環(huán)境溫度：-10℃～40℃ 相對(duì)濕度：≤80%
外形尺寸 長(zhǎng)400mm*寬330mm*高395mm
質(zhì)量 20Kg
測(cè)試工作方式 正接法 反接法 抗干擾正接法 抗干擾反接法
輸出功率 內(nèi)部高壓zui大容量：1.5KVA
輸出zui大電流：150mA
安全性能 絕緣電阻：電源對(duì)地≥2MΩ，高壓輸出對(duì)地≥50MΩ
交流耐壓：電源對(duì)地1500v耐壓1min，高壓輸出對(duì)地15KV耐壓1min，無(wú)飛弧和擊穿
抗干擾性能 | 干擾 / | 試品 ＜2，磁場(chǎng)干擾＜5高斯下滿足測(cè)試精度要求。
電容測(cè)量范圍 10KV： 0～40000pF
＜5KV: 0～0.1μF
電容zui小分辨率 0.001pF
電容精度 正接 ±（2%讀數(shù)+2pF）
反接 ±（2%讀數(shù)+10pF）
電壓輸出 范圍：1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV、7.5KV、10KV
失真度：＜2%THD（10KV下線性負(fù)載）
精度：±（1%讀數(shù)+10V）
介損測(cè)量范圍 0～50%
介損測(cè)量精度
測(cè)試內(nèi)容 電容量范圍（Cx） 試品類型 基本誤差
介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ 200pF～40000pF 非接地 ±（2%讀數(shù)+0.0005）
接地 ±（2%讀數(shù)+0.0010）
10pF～200pF或40000pF以上 非接地 ±（2%讀數(shù)+0.0010）
接地 ±（2%讀數(shù)+0.0020）
3pF～10pF 非接地與接地
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